近日，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)施毅教授/邱浩副教授團(tuán)隊(duì)在無(wú)線(xiàn)能量傳輸技術(shù)的研究取得重要進(jìn)展。

  侵入式腦機(jī)接口需長(zhǎng)期工作于人體內(nèi)部，www.shybdj6.net受限于生物安全性與密閉生理環(huán)境，設(shè)備無(wú)法依賴(lài)物理導(dǎo)線(xiàn)供電，必須采用無(wú)線(xiàn)供能技術(shù)。同時(shí)，其緊湊的封裝結(jié)構(gòu)嚴(yán)重制約了散熱能力，芯片功耗轉(zhuǎn)化的熱量若無(wú)法及時(shí)導(dǎo)出，不僅會(huì)導(dǎo)致電路性能衰退，還可能引發(fā)器件失效甚至周?chē)M織熱損傷。因此，*限度提升能量轉(zhuǎn)換效率、降低自身熱耗散成為電源管理設(shè)計(jì)的核心訴求。在此背景下，單級(jí)可調(diào)壓雙輸出整流技術(shù)因能兼顧微型化體積與高能效，被視為實(shí)現(xiàn)侵入式設(shè)備長(zhǎng)效、安全供能的理想方案，近年來(lái)備受學(xué)界關(guān)注。

  然而，該技術(shù)目前仍面臨三大挑戰(zhàn)：一是傳統(tǒng)架構(gòu)多采用時(shí)分復(fù)用或半波整流，有效充電窗口受限，致使輸出功率與轉(zhuǎn)換效率偏低；二是多路輸出難以實(shí)現(xiàn)獨(dú)立*穩(wěn)壓，現(xiàn)有拓?fù)涑Ｒ螂妷厚詈匣驕乜刂剖鋵?dǎo)致紋波標(biāo)；三是普遍依賴(lài)PMOS有源二極管，其顯著的導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)損耗在微型侵入場(chǎng)景下易引發(fā)局部發(fā)熱，降低系統(tǒng)可靠性。因此，上海自?xún)x九廠(chǎng)如何在嚴(yán)苛的體積與熱約束下，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高能量轉(zhuǎn)換效率、低輸出紋波、雙路獨(dú)立穩(wěn)壓整流，已成為突破侵入式腦機(jī)接口長(zhǎng)效、安全供能的核心難題。

  針對(duì)上述問(wèn)題，研究團(tuán)隊(duì)提出了一種*高效率單級(jí)雙輸出穩(wěn)壓整流器拓?fù)?，可在半周期?nèi)同時(shí)為雙輸出進(jìn)行充電，突破了傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中時(shí)間復(fù)用模式的限制，顯著提升負(fù)載功率、供電電壓質(zhì)量和能量轉(zhuǎn)換效率。進(jìn)一步，提出的創(chuàng)*電荷分配模式，能夠有效緩解雙輸出負(fù)載條件失衡導(dǎo)致問(wèn)題，通過(guò)自適應(yīng)優(yōu)化多輸出端間電荷分配，有效拓寬了額定輸出電流范圍，顯著提升了電路的穩(wěn)定性和適應(yīng)性。

  該芯片采用0.18 μm/www.shsaic.net/ CMOS工藝進(jìn)行了流片驗(yàn)證，實(shí)測(cè)結(jié)果表明，測(cè)試結(jié)果表明：在穩(wěn)態(tài)情況下，實(shí)現(xiàn)了92.2%的峰值效率和1、WWW.shyb118.com1mW的峰值負(fù)載功率，雙輸出電壓分別穩(wěn)定在3.3V和1.6V，對(duì)應(yīng)的*紋波電壓控制在50mV和75mV；在大負(fù)載切換(×15)情況下，實(shí)現(xiàn)高速響應(yīng)的同時(shí)避免了雙輸出之間的耦合干擾。多個(gè)核心指標(biāo)刷新了國(guó)際報(bào)道相關(guān)工作的*記錄。

  相關(guān)成果于04月16日以“A 6.78-MHz single-stage regulating rectifier with dual outputs simultaneously charged iwww.shhzy3.cn/n a half cycle achieving 92.2 % efficiency and 131/www.shzy4.com mW output power”為題在線(xiàn)發(fā)表于集成電路頂刊IEEE Journal of Solid-State Circuits (JSSC)。電子科學(xué)與工程學(xué)2024級(jí)博士生莊泉榮是論文的*作者，邱浩副教授和施毅教授是論文的共同通訊作者，IBM托馬斯?J?沃森研究中心的張信研究員對(duì)該工作進(jìn)行了指導(dǎo)。研究得到了*自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目、首批海外優(yōu)青項(xiàng)目、面上項(xiàng)目、創(chuàng)新研究群體項(xiàng)目等的資助，以及光電材料與芯片技術(shù)教育部工程中心、未來(lái)智能芯片交叉研究中心的支持。